本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性； 主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中，如CATV视频放大器、无线收发模块、各类远距离遥控器、安防报警器、模拟数字无绳电话等产品中，适合中功率高频信号放大； 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，最大集电极电流：ICM=100mA,集电极耗散功率：PC=1000mW，特征频率：fT=8.5GHz； 封装形式：SOT89,本体印字(Marking)：S58。

具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性； 主要应用于超高频微波无线射频放大、VHF、UHF 和CATV 高频宽带低噪声放大器、无线遥控 器、射频模块、雷达感应开关等电路中； 集电极-发射极击穿电压：BVCEO≥12V，最大集电极电流：IC≥100mA,集电极功率：PC≥200mW （SOT-323 封装PC≥150mW），特征频率：fT=7.5GHz； 封装形式：SC59、SOT23 或者SOT323,本体印字：R25； 180-250